最新の半導体LSIは、微細化が極限に近いところまで進み、LSIチップあるいはプロセスの評価及び解析が益々重要となってきております。なぜならLSI構造あるいはプロセス設計を最適値に設定することが、LSI、ICの歩留（良品率）向上、量産化に大きな影響を与えるためです。エルテックでは、SEM、TEM等の最新LSI評価装置を用いて試作品の不良解析、信頼性評価をはじめ各種評価・解析技術に基づくサービスを実施しております。
• 半導体評価・解析技術（デバイスの構造解析、不良解析技術）
SEM,TEM等の最先端LSI評価装置を用いてLSIの構造解析、不良解析技術
- SEM,SCMによる形状評価
- TEMによる各種評価
- FIBによる断面形状評価
• 分析技術
不良解析として元素分析や半導体製造に於ける環境の元素分析技術
- CP-MSによる各種分析
- AESによる不良原因の特定
- XPSによる半導体材料の元素分析
• 半導体信頼性評価技術
LSI，トランジスタ及びデバイス構成の信頼性評価、製品の信頼性保証技術
- HC評価
- TDDB評価
- EM評価
• 歩留向上技術
- 歩留り低下要因の解明及び対策方法を指導
- デバイス製造過程に於いての各種問題点の早期発見
- 歩留り低下を未然防止
|
|
【用語説明】
| SEM |
Scanning Electron Microscope |
| TEM |
Transmission Electron Microscope |
| FIB |
Focused Ion Beam |
| ICP-MS |
Inductively Coupled Plasma Mass Spectroscopy |
| AES |
Auger Electron Microscopy |
| XPS |
X-ray Photoelectron Spectroscopy |
| HC |
Hot Carrier |
| TDDB |
Time Dependent Dielectric Breakdown |
| EM |
Electronic Migration |
|
印刷用ページ